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CMD514
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 514采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD514
- 商品编号
- C20625151
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
046N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 更低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-网络直流-直流电源系统-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器