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CMD04N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 04N03D采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电（ESD）保护功能。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD04N03D
- 商品编号
- C20625147
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正（PFC）