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SSM6K804R,LF
硅N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 合格。 175℃ MOSFET。 4.5-V 驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)，RDS(ON) = 9mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K804R,LF
- 商品编号
- C20247100
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V、24 V和42 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管