TW107Z65C,S1F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 76W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@18V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 低 RDS(on) 与宽安全工作区（SOA）相结合
- 支持更高的浪涌电流，实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 第三代芯片设计(内置碳化硅肖特基势垒二极管)
- 低二极管正向电压:VDSF = -1.35V(典型值)
- 高电压:VDSS = 650V
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 107mΩ(典型值)
- 由于高阈值电压,不易发生故障:Vth = 3.0 至 5.0V(VDS = 10V,ID = 1.2mA)
- 推荐的栅源驱动电压:VGSon = 18V,VGSoff = 0V
- 增强型模式。
应用领域
- 开关稳压器
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