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XPQR3004PB,LXHQ
硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPQR3004PB,LXHQ
- 商品编号
- C20247668
- 商品封装
- L-TOGL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 750W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 26.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.55nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GAN140-650EBE是一款通用型650 V、140 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 3.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 开关稳压器
- 电机驱动器
- DC-DC 转换器