2250660-1

• 屏蔽层：铜合金镀镍或镀锡
• 兼容引脚：磷青铜，在至少1.27um镍层上镀至少2.54um哑光锡
• 匝数比（芯片:电缆）：四对均为1:1
• 开路电感（OCL）：在100kHz、0.1Vrms、8mA直流偏置下，四对双向均至少为160uH
• PoE电流：一对最大1A直流
• 25°C性能（f为频率，单位MHz）：
  • 插入损耗（IL）：1MHz至400MHz，最小 -0.5 - 1.3×(f - 1)/400 dB
  • 回波损耗（RL）：1MHz至100MHz，最大 -17 dB；100MHz至500MHz，最大 -17 + 20.75log₁₀(f/100) dB
  • 串扰衰减：1MHz至500MHz，最大 -20dB
  • 共模抑制：1MHz至500MHz，最大16dB
• 四通道磁路对称，支持自动MDIX操作
• 工作温度：-40°C ~ 85°C

1G/2.5G/5G/10G Base-T、4PPoE扩展温度范围应用