XPQ1R004PB,LXHQ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.68nF |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：QSW = 8.2 nC（典型值）
- 小输出电荷：Qoss = 67.4 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 13 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值），VDS = 150 V
- 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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