SSM6P816R,LF
SSM6P816R,LF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6P816R,LF
- 商品编号
- C20247106
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52.3mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的无引脚超小型DFN0603-3 (SOT8013) 表面贴装器件 (SMD) N沟道增强型场效应晶体管 (FET)。
商品特性
- 1.8V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 36.0 mΩ(典型值)(VGS = -1.8V)
- RDS(ON) = 28.0 mΩ(典型值)(VGS = -2.5V)
- RDS(ON) = 23.0 mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)
应用领域
- 电源管理开关