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TPH9R00CQ5,LQ
N沟道MOS（U-MOSX-H）
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- 描述
- 特性：快速反向恢复时间：trr = 40 ns（典型值）。 小反向恢复电荷：Qrr = 34 nC（典型值）。 小栅极电荷：QSW = 11.7 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。 增强模式：Vth = 3.1 至 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH9R00CQ5,LQ
- 商品编号
- C20247651
- 商品封装
- SOPADVANCE-8(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 超低RSS(on)
- 具备ESD保护，以提升电池性能和安全性
- 采用共漏极配置，简化设计
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电池保护开关-移动设备电池充放电