TW015Z120C,S1F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@11.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@18V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：VDSS = 650V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 1.2mA）
- 推荐的栅源驱动电压：VGS_on = 18V，VGS_off = 0V
- 增强型模式。
应用领域
- 开关稳压器