TW045Z120C,S1F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 182W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@6.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@18V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：漏源正向电压VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：漏源击穿电压VDSS = 1200 V
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻RDS(ON) = 45mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：阈值电压V_th = 3.0至5.0 V（漏源电压VDS = 10 V，漏极电流ID = 6.7 mA）
- 推荐栅源驱动电压：栅源导通驱动电压VGS_on = 18V，栅源关断驱动电压VGS_off = 0V
- 增强型模式。
应用领域
-开关稳压器