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TRS10E65H,S1Q
SiC肖特基势垒二极管
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- 描述
- 特性：第三代芯片设计。 低正向电压：Vₚ = 1.2 V (典型值)。 低总电容电荷：Qc = 27 nC (典型值)。 低反向电流：Iₑ = 2.0 μA (典型值)。应用：功率因数校正。 太阳能逆变器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TRS10E65H,S1Q
- 商品编号
- C20247652
- 商品封装
- TO-220-2L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 整流电流 | 27A | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 100uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 62A |