TJ10S04M3L(T6L1,NQ
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TJ10S04M3L(T6L1,NQ
- 商品编号
- C20247120
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融入了对广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它基于上一代MDmesh器件，采用全新的M6技术，将出色的单位面积RDS(on)改善与高效的开关性能相结合，为用户带来友好体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 33.8 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- 低漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
- 增强型:Vth = -2.0 至 -3.0 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)
应用领域
-汽车领域-电机驱动器-DC-DC 转换器-开关稳压器