TPH1500CNH1,LQ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 快速反向恢复时间：trr = 100 ns（典型值）
- 低漏源导通电阻：采用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.18 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）
应用领域
- 开关稳压器