TK16V60W5,LVQ
TK16V60W5,LVQ
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK16V60W5,LVQ
- 商品编号
- C20247123
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 245mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的无引脚中功率 DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 快速反向恢复时间:trr = 100 ns(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.196Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3 至 4.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.79 mA)
应用领域
- 开关稳压器