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SSM6K818R,LF
硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 qualified。 4.5-V drive。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值）（VGS = 4.5 V）；RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K818R,LF
- 商品编号
- C20247101
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品特性
- 适用于小封装高密度安装
- 低导通电阻：Ron = 12 Ω（最大值）(@VGS = -4 V)
- Ron = 32 Ω（最大值）(@VGS = -2.5 V)
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用