SSM6J825R,LF
SSM6J825R,LF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J825R,LF
- 商品编号
- C20247099
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路