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FF8MR12W1M1HB70BPSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FF8MR12W1M1HB70BPSA1

FF8MR12W1M1HB70BPSA1

商品型号
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
商品编号
C20190947
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))8.1mΩ@18V
属性参数值
输入电容(Ciss)8.8nF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)420pF

商品特性

  • 电气特性
  • 集电极 - 发射极饱和电压(VCES) = 1700 V
  • 标称集电极电流(ICnom) = 1700 A / 最大集电极重复电流(ICRM) = 3400 A
  • 低开关损耗
  • 高电流密度
  • 高浪涌电流能力
  • 增强型二极管
  • 工作结温(Tvj,op) = 175°C
  • 机械特性
  • 高功率和热循环能力
  • 高功率密度
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 相比漏电起痕指数(CTI) > 400 的封装

应用领域

  • 风力涡轮机-高功率转换器-电机驱动器-牵引驱动器

数据手册PDF