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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FS33MR12W1M1HB11BPSA1

FS33MR12W1M1HB11BPSA1

商品型号
FS33MR12W1M1HB11BPSA1
商品编号
C20190967
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))32.3mΩ@18V
阈值电压(Vgs(th))5.15V@10mA
属性参数值
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-40℃~+175℃
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
  • N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
  • 超出AEC - Q101的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 稳健设计
  • 湿度敏感度等级1(MSL1),最高260°C峰值回流温度
  • 175°C工作温度
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 通用汽车应用。

数据手册PDF