- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP75R12N2T4B86BPSA1
FP75R12N2T4B86BPSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP75R12N2T4B86BPSA1
- 商品编号
- C20190959
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.3nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 160pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 260ns | |
| 导通损耗(Eon) | 7.85mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 低开关损耗
- 低VCEsat
- Tvjop = 150°C
- VCEsat具有正温度系数
- 集成NTC温度传感器
- 铜基板
- 焊接接触技术
- 标准外壳
应用领域
- 辅助逆变器
- 电机驱动
- 伺服驱动
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