FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
- 商品编号
- C20190948
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@18V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.15V@40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 297nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用
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