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DMT8012LK3-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:44A
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- 描述
- N沟道,80V,44A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8012LK3-13
- 商品编号
- C211374
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.949nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
NCE2030K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 30A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13 mΩ（典型值：10.5 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
应用领域
- 电源开关应用
- 负载开关
- 不间断电源