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DMT8012LK3-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT8012LK3-13

1个N沟道 耐压:80V 电流:44A

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描述
N沟道,80V,44A
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT8012LK3-13
商品编号
C211374
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.398克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)44A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.7W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.949nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

商品概述

NCE2030K采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。

商品特性

  • 低RDS(ON)—— 确保导通状态损耗最小化
  • 高转换效率
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 符合AEC - Q101标准,具备高可靠性

应用领域

-同步整流器-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF