温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG1016UDW-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1066mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1016UDW-7
- 商品编号
- C211433
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.066A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC - Q），具备高可靠性
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等-电源转换电路