ZABG6003JA16TC

ZABG6003 是一种先进的砷化镓和HEMT FET偏置控制器，设计用于从最小的电源轨工作，主要用于卫星低噪声模块（LNB）。只需添加一个电容和一个电阻，ZABG6003就可以为多达6个外部接地源FET提供漏极电压和电流控制。它能够在2.1V至5V的单电源供电下生成FET栅极偏置所需的调节负轨。-2V的负偏置也可以用来供给其他外部电路。

在ZABG6003上设置漏极电流只需要一个电阻来控制第一级FETs（D1和D4）的漏极电流。其余四个FETs对于第二和第三级的漏极电流被内部设定为10mA。这允许输入FET的工作电流被调整以最小化噪声，而后续的FET级则固定以减少使用的外部组件数量。

ZABG系列设备旨在满足卫星接收器LNB中常用的砷化镓和HEMT FET的偏置要求，使用最少的外部组件，并在最小的电压供应下运行且消耗极少的电流。

ZABG6003有六个FET偏置阶段。为了优化系统的噪声和增益，可以将其中两个阶段的漏极电流编程在4mA到15mA之间。通过连接到RCAL1引脚的电阻来实现对FETS D1和D4的漏极电流编程。剩余四个FETS D2、D3、D5和D6的漏极电流内部设定为10mA。

放大器级的漏极电压设定为2.0V，并且其电流限制大约为其相关RCAL电阻设定的电流。

当耗尽型FET在接地源电路中工作时需要负电压偏置电源。ZABG6003包括一个集成的开关电容DC-DC转换器，生成-2V的调节输出，以支持单电源操作。ZABG6003设计用于2.1V至5.0V的电源轨，VDD范围已扩展到5.5V，以适应10%的电源波动。

可以使用少于全部的FET偏置控制，未使用的漏极和栅极连接可以保持开路而不影响剩余偏置电路的操作。

为了保护外部FET，电路设计确保在任何条件下，包括通电/断电瞬态期间，偏置电路的栅极驱动不会超过-2.5V。此外，每个阶段都有自己的独立电流限制器。另外，如果负轨遇到故障条件，如过载或短路，FET的漏极供电将受到限制，避免过大的电流流动。

ZABG6003采用U-QFN3030-16（Type B）封装。器件工作温度为-40℃至+105℃，适用于广泛的环境条件。

• 为多达6个GaAs和HEMT FET提供偏置
• 2个放大器FET漏极电流可编程（4mA至15mA）
• 4个放大器FET漏极电流内部固定为10mA
• 工作电压范围2.1V至5V
• 超低工作电流1.1mA
• 动态FET保护
• 稳压负轨生成器仅需1个外部电容
• 扩展温度范围-40°C至+105°C
• U-QFN3030-16（Type B）表面贴装封装
• 外部元件数量少
• 完全无铅且符合RoHS标准
• 无卤素和无锑。“绿色”设备

• 低功耗LNB
• 数字LNB
• IP LNB
• 双通道和四通道LNB
• 通用LNA偏置