温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP32D4S-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP32D4S-13
- 商品编号
- C211409
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V；4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA；2V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V；1.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 51.16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.85pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 负载开关-便携式应用-电源管理功能