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ZVP4525GTA
1个P沟道 耐压:250V 电流:265mA
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- 描述
- 新一代沟槽 MOSFET 具有独特结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVP4525GTA
- 商品编号
- C211425
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 265mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高电压
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低栅极驱动
- 低阈值
- 无铅表面处理；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC - Q 中引用），具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号（ZVP4525GQ），数据手册单独提供
应用领域
- 接地回叫和拨号开关-电子摘机开关-高压功率 MOSFET 驱动器-电信呼叫路由器-固态继电器