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DMP1011UCB9-7
1个P沟道 耐压:8V 电流:10A
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- 描述
- 这款第三代横向MOSFET（LD - MOS）经过精心设计，能够将导通损耗降至最低，并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积内极低的RDS(ON)相结合，提高了功率密度。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1011UCB9-7
- 商品编号
- C211428
- 商品封装
- U-WLB1515-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 817pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 269pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 595pF |
商品概述
这款第三代横向MOSFET（LD-MOS）旨在最大限度降低导通损耗并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积内极低的RDS(ON)相结合来提高功率密度。
商品特性
- 具备最低品质因数的LD-MOS技术:-RDS(ON) = 8.2 mΩ,可最大限度降低导通损耗;-Qg = 8.1 nC,实现超快速开关
- 典型VGS(th) = -0.8 V,开启电压低
- 采用1.5mm × 1.5mm占位面积的CSP封装
- 高度为0.60mm,外形低矮
- 栅极具备6kV HBM静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关