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DMN1033UCB4-7
停产 耐压:12V 电流:5.5A
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- 描述
- N沟道,12V,5.5A,50mΩ@1.5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1033UCB4-7
- 商品编号
- C211418
- 商品封装
- U-WLB1818-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RSS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 内置G-S保护二极管,可承受2kV HBM静电放电。-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护