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DMN26D0UT-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:230mA
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- 描述
- N沟道,20V,230mA,15Ω@1.2V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN26D0UT-7
- 商品编号
- C211407
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻:
- 3.0Ω@4.5V
- 4.0Ω@2.5V
- 6.0Ω@1.8V
- 10Ω@1.5V
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 设计无铅、无卤、无锑,符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准