LM5112SD/NOPB
LM5112SD/NOPB
- 描述
- LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5112SD/NOPB
- 商品编号
- C201718
- 商品封装
- WSON-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 7A | |
| 拉电流(IOH) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.5V~14V | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LM5112 器件 MOSFET 栅极驱动器在微型 6 引脚 WSON 封装(等效于 SOT-23 封装尺寸)或 8 引脚带散热焊盘的 MSOP 封装中提供高峰值栅极驱动电流,该封装可改善高频操作所需的散热性能。复合输出驱动级包括并联工作的 MOS 和双极晶体管,它们共同从容性负载吸收超过 7 A 的峰值电流。结合 MOS 和双极器件的独特特性,可减少驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护,以防止因栅极导通电压不足而损坏 MOSFET。LM5112 器件提供反相和同相输入,以满足使用单一器件类型实现反相和同相栅极驱动的要求。
商品特性
- LM5112-Q1 符合汽车应用 AEC-Q100 1 级标准
- 采用汽车级工艺流程制造
- 复合 CMOS 和双极输出可减少输出电流变化
- 7 A 灌电流和 3 A 拉电流
- 快速传播时间:25 ns(典型值)
- 快速上升和下降时间:带 2 nF 负载时,上升或下降时间为 14 ns 或 12 ns
- 反相和同相输入可通过单一器件实现两种配置
- 电源轨欠压锁定保护
- 用于分离电源或单电源操作的专用输入地(IN_REF)
- 功率增强型 6 引脚 WSON 封装(3 mm×3 mm)或热增强型 MSOP-PowerPAD 封装
- 输出摆幅从 VCC 到相对于输入地为负的 VEE
应用领域
- DC-DC 开关模式电源
- AC-DC 开关模式电源
- 太阳能微型逆变器
- 螺线管和电机驱动器
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 100 个)个
起订量:100 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
