温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM5104MX/NOPB
带自适应延迟的高压半桥栅极驱动器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5104MX/NOPB
- 商品编号
- C206493
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 9V~14V | |
| 上升时间(tr) | 600ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 400uA |
商品概述
LM5104高压栅极驱动器专为在同步降压配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET而设计。浮动高端驱动器可在高达100 V的电源电压下工作。高端和低端栅极驱动器由单个输入控制。每个状态变化均采用自适应方式控制，以防止出现直通问题。除自适应转换时序外，还可根据外部设置电阻按比例增加额外的延迟时间。该驱动器集成了高压二极管，用于为高端栅极驱动自举电容充电。强大的电平转换器可高速运行，同时功耗较低，并能将控制逻辑的电平干净地转换至高端栅极驱动器。低端和高端电源轨均具备欠压锁定功能。该器件提供标准SOIC和WSON封装。
商品特性
- 驱动高端和低端N沟道MOSFET
- 自适应上升和下降沿，具备可编程额外延迟
- 单输入控制
- 自举电源电压范围高达118 V DC
- 快速关断传播延迟（典型值25 ns）
- 可驱动1000 pF负载，上升和下降时间为15 ns
- 电源轨欠压锁定
- SOIC和4 mm × 4 mm的WSON-10封装
应用领域
- 电流馈电推挽式电源转换器
- 高压降压稳压器
- 有源钳位正激式电源转换器
- 半桥和全桥转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交7单