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NTD4804NT4G
1个N沟道 耐压:30V 电流:19.6A
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- 描述
- 特性：低 RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 通过 AEC Q101 认证。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：CPU 电源供应。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4804NT4G
- 商品编号
- C179613
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@11.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 556pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 952pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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