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IRF7809AVTRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.3A
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- 描述
- N沟道 30V 13.3A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7809AVTRPBF
- 商品编号
- C169087
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.06nF |
商品概述
这款新型器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了导通电阻和栅极电荷之间前所未有的平衡。降低的导通和开关损耗使其非常适合为新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器。 IRF7809AV针对同步降压转换器中的所有关键参数进行了优化，包括 RDS(on) 、栅极电荷和Cdv/dt感应导通抗扰度。IRF7809AV在同步FET应用中具有极低的 RDS(on) 和高Cdv/dt抗扰度。 该封装设计适用于气相、红外、对流或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过2W。
商品特性
- 适用于CPU核心DC-DC转换器
- 低导通损耗
- 低开关损耗
- 减少大电流应用中的并联MOSFET数量
- 100%测试Rg
- 无铅
应用领域
- CPU核心DC-DC转换器