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IRF9Z34NSTRLPBF
1个P沟道 耐压:55V 电流:19A
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- 描述
- P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9Z34NSTRLPBF
- 商品编号
- C169780
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用场景。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本（IRF9Z34NL）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装（IRF9Z34NS）
- 薄型通孔（IRF9Z34NL）
- 175°C工作温度
- 快速开关
- P沟道
- 全雪崩额定
- 无铅
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