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IRF5803TRPBF
1个P沟道 耐压:40V 电流:3.4A
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- 描述
- 这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF5803TRPBF
- 商品编号
- C169756
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用。其独特的散热设计和导通电阻的降低，使得与SOT - 23封装相比，电流处理能力提高了近300%。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低栅极电荷
- 无铅
- 无卤素