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IRF7862TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:21A
- 描述
- N 沟道,Vds=30V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7862TRPBF
- 商品编号
- C169761
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 810pF |
商品特性
- 在VGS为4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)）极低
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压VGS为20 V
- 100%测试栅极电阻Rg
- 无铅
应用领域
- 笔记本处理器电源同步MOSFET
- 隔离式DC-DC转换器同步整流MOSFET