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STGW39NC60VD
600V 80A
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- 描述
- 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW39NC60VD
- 商品编号
- C169774
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 220A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.9nF | |
| 输出电容(Coes) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 298pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 33ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 178ns | |
| 导通损耗(Eon) | 333uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 537uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 45ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款IGBT采用PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。封装类型为TO-247。
商品特性
- 低CRES/CIES比率（无交叉导通敏感性）
- IGBT与超快续流二极管共封装
应用领域
- 高频逆变器
- UPS
- 电机驱动器
- 感应加热