温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7104TRPBF
2个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双P沟道,-20V,-2.3A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7104TRPBF
- 商品编号
- C169767
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V,0.50A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第四代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和双芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过0.8W。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 无铅