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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 21A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 205pF | |
| 输出电容(Coes) | 32pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5.5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 76ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 68uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 21ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用基于专利条形布局的最新高压技术，设计了先进的IGBT系列，即PowerMESH™ IGBTs，其特点是性能出色。“H”后缀标识针对高频应用优化的系列，该系列实现了非常高的开关性能（降低tfall），同时保持低电压降。
商品特性
- 低V_CE(sat)
- 低CRES/CIES比（无交叉导通敏感性）
- 极软超快恢复反并联二极管
- 高频工作
应用领域
- 高频逆变器
- 硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）
- 电机驱动器