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IRF7324TRPBF
2个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7324TRPBF
- 商品编号
- C169765
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF |
商品概述
新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET以坚固耐用著称的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
商品特性
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 双P沟道MOSFET
- 薄型封装（<1.1mm）
- 提供卷带包装
- 额定电压2.5V
- 无铅
应用领域
- 电池和负载管理应用