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IRF8721TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
- 描述
- N沟道,30V,14A,8.5mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8721TRPBF
- 商品编号
- C169760
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 229pF |
商品概述
IRF8721PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术融入行业标准的SO-8封装中。IRF8721PbF针对同步降压操作中的关键参数进行了优化，包括导通电阻Rds(on)和栅极电荷，以降低导通损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。
商品特性
~~- 极低的栅极电荷-在4.5V栅源电压VGS下具有低导通电阻RDS(ON)-低栅极阻抗-雪崩电压和电流特性完全表征-最大栅极额定电压VGS为20V-无铅
应用领域
- 用于笔记本电脑处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET-网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET