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STS4DPF20L
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 双P沟道,20V,4A,80mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS4DPF20L
- 商品编号
- C169096
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新技术。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，并且对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造重复性。
商品特性
- 典型 RDS(导通) = 0.07 Ω
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
- 低阈值驱动
应用领域
- 移动设备的电池管理
- 手机的电源管理
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