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STP30NF20
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
- 描述
- N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP30NF20
- 商品编号
- C169094
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.597nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
商品特性
- 栅极电荷最小化
- 100%雪崩测试
- 出色的品质因数（RDS*Qg）
- 极佳的制造重复性
- 极低的本征电容
应用领域
- 开关应用