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ISL6612ACBZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6612ACBZ
商品编号: C1549464
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动。ISL6613A可将上、下栅极在5V至12V范围内驱动。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗权衡的应用提供了必要的灵活性。集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前即可运行，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受低端MOSFET阈值的限制，如果在上电初始阶段上MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。这些驱动器还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用，可防止输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能无需在某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。

商品特性

与HIP6601 SOIC系列引脚兼容
用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON)传导偏移效应自动归零
可调栅极电压（5V至12V）以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充电
支持高开关频率（高达2MHz） - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
用于输出级关断的三态PWM输入
满足电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
上电复位前过压保护
VCC欠压保护
可扩展底部铜焊盘以增强散热
双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔和AMD微处理器的核心稳压器
大电流DC/DC转换器
高频高效VRM和VRD

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优惠活动

购买数量

(98个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个98个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.25A
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	0℃~+85℃