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IXDN602SI

2安培双路低侧超快速MOSFET驱动器

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描述: 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流，同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。有标准8引脚DIP（PI）、8引脚SOIC（SIA）、带有外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）和8引脚DFN（D2）封装。
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXDN602SI
商品编号: C1549472
商品封装: SOIC-8-EP
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

双高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应。专有电路可消除交叉导通和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使该系列产品非常适合高频和高功率应用。

商品特性

2A峰值源极/漏极驱动电流
宽工作电压范围：4.5V至35V
扩展工作温度范围：-40℃至+125℃
逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
输出端可并联以获得更高的驱动电流
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低至10μA的电源电流
低输出阻抗

应用领域

高效功率MOSFET和IGBT开关
开关模式电源
电机控制
DC-DC转换器
D类开关放大器
脉冲变压器驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~35V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	7.5ns
	下降时间(tf)	6.5ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	3V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	10uA