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IXDD609YI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 9A | |
| 工作电压 | 4.5V~35V | |
| 上升时间(tr) | 22ns | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 低端 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 9A，9A |
| 封装/外壳 | TO-263-6，D?Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 上升/下降时间（典型值） | 22ns，15ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 35V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | 0.8V，3V |
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