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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 430mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
L6399是一款采用BCD Tm“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。 高端（浮动）部分设计可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。
商品特性
- 高达600 V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度±50 V/ns
- 驱动电流能力：源极290 mA，漏极430 mA
- 带1 nF负载时，上升/下降时间为75/35 ns
- 具有迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 集成自举二极管
- 内部320 ns死区时间
- 互锁功能
- 紧凑且简化的布局
- 减少物料清单
- 灵活、简便且快速的设计
应用领域
- 家用电器
- 工业应用和驱动器
- 直流、交流、永磁直流和永磁交流电机系统的电机驱动器
- 暖通空调
- 工厂自动化
- 电源系统
- 压缩机
- 风扇
- 照明应用
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(100个/管，最小起订量 380 个)个
起订量：380 个100个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单