商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。 高端（浮动）部分设计为可承受高达500 V的直流电压轨，瞬态耐压为600 V。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器或DSP等控制单元接口。 该器件是一款具有可编程死区时间的单输入栅极驱动器，还设有一个低电平有效关断引脚。 器件的两个输出端灌电流能力为2.5 A，拉电流能力为2 A，特别适用于中大容量功率MOSFET/IGBT。 上下驱动部分均设有独立的欠压锁定（UVLO）保护电路，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。 集成的自举二极管以及该驱动器的所有集成特性，使应用PCB设计更简单、更紧凑，并有助于降低总体物料清单成本。
商品特性
- 瞬态耐压600 V，全温度范围内dV/dt抗扰度±50 V/ns
- 驱动器电流能力：25 ℃时典型拉电流2 A，25 ℃时典型灌电流2.5 A
- 短传播延迟：85 ns
- 带1 nF负载时，开关时间上升/下降为25 ns
- 集成自举二极管
- 单输入和关断引脚
- 可调节死区时间
- 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 高端和低端部分均有欠压锁定（UVLO）保护
- 布局紧凑且简化
- 降低物料清单成本
- 设计灵活、简便、快速
应用领域
- 家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器
- 高强度气体放电（HID）镇流器
- 感应加热
- 焊接
- 工业逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电源单元DC-DC转换器
优惠活动
购买数量
(1000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单