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HIP2103FRTAAZ
同步整流低压驱动器
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- 描述
- 是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP2103FRTAAZ
- 商品编号
- C1549569
- 商品封装
- TDFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 4ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 80uA |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 60V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1A，1A |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-TDFN（3x3） |
| 上升/下降时间（典型值） | 8ns，2ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 14V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | 1.63V，2.06V |
优惠活动
购买数量
(100个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个100个/管
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