ISL2111AR4Z
ISL2111AR4Z
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL2111AR4Z
- 商品编号
- C1549613
- 商品封装
- DFN-12-EP(4x4)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~14V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 7.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ISL2110、ISL2111 是 100V 高频半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动 IC。它们基于广受欢迎的 HIP2100、HIP2101 半桥驱动器,但在性能上有多项提升。峰值输出上拉/下拉电流已提升至 3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需外部图腾柱缓冲器。此外,vDD 工作电源范围的低端已扩展至 8VDC。ISL2110 具有额外的输入迟滞功能,可在嘈杂环境中实现卓越运行,而 ISL2111 的输入与 ISL2110 一样,现在可以安全地摆动至 vDD 电源轨。
商品特性
- 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 提供 SOIC、DFN 和 TDFN 封装选项
- SOIC、DFN 和 TDFN 封装符合 IPC - 2221 规定的 100V 导体间距准则
- 无铅(符合 RoHS 标准)
- 自举电源最大电压可达 114VDC
- 片上集成 1W 自举二极管
- 适用于多 MHz 电路的快速传播时间
- 驱动 1nF 负载时,典型上升/下降时间为 9ns/7.5ns
- CMOS 兼容输入阈值(ISL2110)
- 3.3V/TTL 兼容输入阈值(ISL2111)
- 独立输入提供灵活性
- 无启动问题
- 输出不受电源毛刺、高压侧(HS)低于地电位的振铃或高压侧高 dv/dt 转换的影响
- 低功耗
- 宽电源电压范围(8V 至 14V)
- 电源欠压保护
- 典型输出上拉/下拉电阻为 1.6W/1W
应用领域
- 电信半桥 DC/DC 转换器
- 电信全桥 DC/DC 转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- D 类音频放大器
优惠活动
购买数量
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