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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL2111AR4Z

ISL2111AR4Z

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商品型号
ISL2111AR4Z
商品编号
C1549613
商品封装
DFN-12-EP(4x4)​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
属性参数值
拉电流(IOH)3A
工作电压8V~14V
上升时间(tr)9ns
下降时间(tf)7.5ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

ISL2110、ISL2111 是 100V 高频半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动 IC。它们基于广受欢迎的 HIP2100、HIP2101 半桥驱动器,但在性能上有多项提升。峰值输出上拉/下拉电流已提升至 3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需外部图腾柱缓冲器。此外,vDD 工作电源范围的低端已扩展至 8VDC。ISL2110 具有额外的输入迟滞功能,可在嘈杂环境中实现卓越运行,而 ISL2111 的输入与 ISL2110 一样,现在可以安全地摆动至 vDD 电源轨。

商品特性

  • 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
  • 提供 SOIC、DFN 和 TDFN 封装选项
  • SOIC、DFN 和 TDFN 封装符合 IPC - 2221 规定的 100V 导体间距准则
  • 无铅(符合 RoHS 标准)
  • 自举电源最大电压可达 114VDC
  • 片上集成 1W 自举二极管
  • 适用于多 MHz 电路的快速传播时间
  • 驱动 1nF 负载时,典型上升/下降时间为 9ns/7.5ns
  • CMOS 兼容输入阈值(ISL2110)
  • 3.3V/TTL 兼容输入阈值(ISL2111)
  • 独立输入提供灵活性
  • 无启动问题
  • 输出不受电源毛刺、高压侧(HS)低于地电位的振铃或高压侧高 dv/dt 转换的影响
  • 低功耗
  • 宽电源电压范围(8V 至 14V)
  • 电源欠压保护
  • 典型输出上拉/下拉电阻为 1.6W/1W

应用领域

  • 电信半桥 DC/DC 转换器
  • 电信全桥 DC/DC 转换器
  • 双开关正激转换器
  • 有源钳位正激转换器
  • D 类音频放大器

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